截至2026年1月26日 13:24，科创芯片设计ETF易方达(589030)盘中换手15.05%，成交5223.04万元，市场交投活跃。

截至1月23日，科创芯片设计ETF易方达(589030)最新规模、最新份额均创成立以来新高。

资金流入方面，科创芯片设计ETF易方达(589030)近5个交易日内，合计“吸金”2733.82万元。

消息面上，近日，据业内报道，三星电子在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远超市场此前预期，凸显了当前半导体市场严重的供需失衡现状。这是继DRAM内存价格被曝上调近70%之后，存储市场的又一重磅调价信号。报道称，三星电子目前已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。

在多家机构研究团队一致认为，AI浪潮驱动的“存储芯片超级周期”全面到来，且这一轮周期的强度与持续时间长度可能远远强于2018年的那轮“云计算时代驱动的存储超级牛市”。

科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。