晶盛机电(300316)
投资要点
半导体收入占比不断提升,订单快速增长。12英寸碳化硅衬底加工中试线通线,可兼容导电&半绝缘型。9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。
SiC凭借其高热导率和高工艺窗口,有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装(芯片-晶圆-基板)技术。CoWoS通过将多个芯片(如处理器、存储器等)高密度地堆叠集成在一个封装内,显著缩小了封装面积,并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大,将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。(1)单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体,其热导率达到490W/m·K,比硅高出2–3倍,是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。(2)与硅中介层相比,单晶SiC还具有更好的耐化学性,因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔,进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层,显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。
SiC具备高折射率、高热导性,成为AR眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高,AR镜片的FOV就更大,单层SiC镜片即可实现80度以上FOV,可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。同时,SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入,有效提升产能和良率。
晶盛积极扩产6&8英寸衬底产能,已具备12英寸能力。晶盛目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。
盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元,对应当前PE为58/47/38倍,维持“买入”评级。
风险提示:下游应用拓展不及预期,技术研发不及预期。